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PDTC114TS,126

Fabricants: NXP USA Inc.
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Fiche: PDTC114TS,126
Description: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant NXP USA Inc.
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Box (TB)
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 500mW
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Numéro de pièce de base PDTC114
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Paquet d’appareils fournisseur TO-92-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 1µA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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