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PBLS2001S,115

Fabricants: NXP USA Inc.
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: PBLS2001S,115
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant NXP USA Inc.
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 1.5W
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Numéro de pièce de base PBLS2001
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms
Fréquence - Transition 100MHz
Paquet d’appareils fournisseur 8-SO
Résistance - Base d’émetteur (R2) 2.2kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 3A
Courant - Seuil de collection (Max) 1µA, 100nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V, 20V

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