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A2G35S200-01SR3
| Fabricants: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Fiche: | A2G35S200-01SR3 |
| Description: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gain | 16.1dB |
| Série | - |
| Fréquence | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Statut de la partie | Active |
| Figure de bruit | - |
| Courant - Test | 291mA |
| Paquet / Cas | NI-400S-2S |
| Puissance - Sortie | 180W |
| Tension - Test | 48V |
| Transistor Type | LDMOS |
| Tension - Évalué | 125V |
| Note actuelle (Amps) | - |
| Paquet d’appareils fournisseur | NI-400S-2S |
En stock 246 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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