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JANTXV1N5809US
| Fabricants: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Fiche: | JANTXV1N5809US |
| Description: | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| Catégorie de produits | Diodes - Rectifiers - Single |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Emballage | Bulk |
| Diode Type | Standard |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | SQ-MELF, B |
| Capacité @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Paquet d’appareils fournisseur | B, SQ-MELF |
| Temps de récupération inversée (trr) | 30ns |
| Courant - Fuite inversée @ Vr | 5µA @ 100V |
| Tension - Dc Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Courant - Correction moyenne (Io) | 3A |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 4A |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $13.29 | $13.02 | $12.76 |
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