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APTGT75DH120T3G

Fabricants: Microsemi Corporation
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: APTGT75DH120T3G
Description: MOD IGBT 1200V 110A SP3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Microsemi Corporation
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série -
IGBT Type Trench Field Stop
Statut de la partie Active
Puissance - Max 357W
Configuration Asymmetrical Bridge
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT Yes
Paquet / Cas SP3
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Paquet d’appareils fournisseur SP3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 110A
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
Courant - Seuil de collection (Max) 250µA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

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