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APTCV50H60T3G
| Fabricants: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Fiche: | APTCV50H60T3G |
| Description: | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| Catégorie de produits | Transistors - IGBTs - Modules |
| Entrée | Standard |
| Série | - |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | 176W |
| Configuration | Full Bridge |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Thermistor du CNT | Yes |
| Paquet / Cas | SP3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Paquet d’appareils fournisseur | SP3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80A |
| Capacité d’entrée (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Courant - Seuil de collection (Max) | 250µA |
| Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) | 600V |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $58.31 | $57.14 | $56.00 |
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