Fabricants: | Microsemi Corporation |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | APT80SM120B |
Description: | POWER MOSFET - SIC |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Microsemi Corporation |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Bulk |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Obsolete |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / Cas | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
Dissipation de puissance (Max) | 555W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | TO-247 |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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