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APT45GP120B2DQ2G

Fabricants: Microsemi Corporation
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Single
Fiche: APT45GP120B2DQ2G
Description: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Microsemi Corporation
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Single
Série POWER MOS 7®
IGBT Type PT
Emballage Tube
Type d’entrée Standard
Charge de porte 185nC
Statut de la partie Active
Puissance - Max 625W
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-247-3 Variant
Condition d’essai 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Commutation de l’énergie 900µJ (on), 905µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 18ns/100ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 113A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 170A
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

En stock 16 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$21.33 $20.90 $20.49

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