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APT33GF120LRDQ2G
| Fabricants: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - IGBTs - Single |
| Fiche: | APT33GF120LRDQ2G |
| Description: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| Catégorie de produits | Transistors - IGBTs - Single |
| Série | - |
| IGBT Type | NPT |
| Emballage | Tube |
| Type d’entrée | Standard |
| Charge de porte | 170nC |
| Statut de la partie | Obsolete |
| Puissance - Max | 357W |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / Cas | TO-264-3, TO-264AA |
| Condition d’essai | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Commutation de l’énergie | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/185ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Paquet d’appareils fournisseur | TO-264 [L] |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 64A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 75A |
| Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) | 1200V |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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