L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

MT47H64M8SH-25E AIT:H TR

Fabricants: Micron Technology Inc.
Catégorie de produits: Memory
Fiche: MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Micron Technology Inc.
Catégorie de produits Memory
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM - DDR2
Heure d’accès 400ps
Taille de mémoire 512Mb (64M x 8)
Type de mémoire Volatile
Statut de la partie Obsolete
Format de mémoire DRAM
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 60-TFBGA
Fréquence de l’horloge 400MHz
Numéro de pièce de base MT47H64M8
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Paquet d’appareils fournisseur 60-FBGA (10x18)
Temps de cycle d’écriture - Mot, Page 15ns

En stock 0 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
Micron Technology Inc.
$0
A2C00045443 A
Cypress Semiconductor Corp
$0
A2C00045250 A
Cypress Semiconductor Corp
$0
S29AL016J55BFIR10A
Cypress Semiconductor Corp
$0
S29AL008J70BFM023_791479U
Cypress Semiconductor Corp
$0
S25FL064P0XNFB003
Cypress Semiconductor Corp
$0