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MT47H512M4THN-3:E TR
| Fabricants: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Memory |
| Fiche: | MT47H512M4THN-3:E TR |
| Description: | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Catégorie de produits | Memory |
| Série | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Heure d’accès | 450ps |
| Taille de mémoire | 2Gb (512M x 4) |
| Type de mémoire | Volatile |
| Statut de la partie | Obsolete |
| Format de mémoire | DRAM |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 63-FBGA |
| Fréquence de l’horloge | 333MHz |
| Numéro de pièce de base | MT47H512M4 |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Paquet d’appareils fournisseur | 63-FBGA (9x11.5) |
| Temps de cycle d’écriture - Mot, Page | 15ns |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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