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EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Fabricants: Micron Technology Inc.
Catégorie de produits: Memory
Fiche: EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
Description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Micron Technology Inc.
Catégorie de produits Memory
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille de mémoire 512Mb (16M x 32)
Type de mémoire Volatile
Statut de la partie Active
Format de mémoire DRAM
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 134-VFBGA
Fréquence de l’horloge 533MHz
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TC)
Paquet d’appareils fournisseur 134-VFBGA (10x11.5)
Temps de cycle d’écriture - Mot, Page -

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