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ISP25DP06LMSATMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: ISP25DP06LMSATMA1
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type P-Channel
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 270µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.9A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-SOT223
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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