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IPT60R125G7XTMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPT60R125G7XTMA1
Description: MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™ G7
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 320µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 6.4A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 120W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-HSOF-8-2
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 74 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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