Fabricants: | Infineon Technologies |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | IPS65R600E6AKMA1 |
Description: | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Infineon Technologies |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | CoolMOS™ E6 |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Tube |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Not For New Designs |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / Cas | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 63W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | PG-TO251-3 |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.67 | $0.66 | $0.64 |