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IPI200N25N3GAKSA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPI200N25N3GAKSA1
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TO262-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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