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IPD90N06S4L06ATMA2

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPD90N06S4L06ATMA2
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 40µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 90A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 79W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TO252-3-11
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5680pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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