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IPC218N04N3X1SA1

Fabricants:	Infineon Technologies
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	IPC218N04N3X1SA1
Description:	MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
FET Type	N-Channel
Emballage	Bulk
Vgs (Max)	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Active
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Température de fonctionnement	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (Max)	-
Paquet d’appareils fournisseur	Sawn on foil
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	2A (Tj)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	10V