Fabricants: | Infineon Technologies |
---|---|
Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | IPB80P04P4L06ATMA1 |
Description: | MOSFET P-CH TO263-3 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
---|---|
Fabricant | Infineon Technologies |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET Type | P-Channel |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 80A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 88W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6580pF @ 25V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.81 | $0.79 | $0.78 |