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IPB80N06S2L09ATMA2
| Fabricants: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | IPB80N06S2L09ATMA2 |
| Description: | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | OptiMOS™ |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet, fonction | - |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 52A, 10V |
| Dissipation de puissance (Max) | 190W (Tc) |
| Paquet d’appareils fournisseur | PG-TO263-3-2 |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 55V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2620pF @ 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.11 | $1.09 | $1.07 |
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