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IPB100N06S2L05ATMA2

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPB100N06S2L05ATMA2
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TO263-3-2
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5660pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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