L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

IPB049N08N5ATMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPB049N08N5ATMA1
Description: MOSFET N-CH 80V TO263-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 66µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3770pF @ 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 0 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.12 $1.10 $1.08

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

IRFSL5615PBF
Infineon Technologies
$1.12
2SK3480-AZ
Renesas Electronics America
$1.12
FKV550N
Sanken
$1.12
TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.12
IXTU12N06T
IXYS
$1.12
IRF9Z20
Vishay / Siliconix
$1.12