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IPB048N15N5LFATMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPB048N15N5LFATMA1
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™-5
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 255µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 313W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 75V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 120A
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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