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IPB042N10N3GE8187ATMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPB042N10N3GE8187ATMA1
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 214W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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