Fabricants: | Infineon Technologies |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
Description: | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Infineon Technologies |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | OptiMOS™ |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 214W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.38 | $1.35 | $1.33 |