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IPAN65R650CEXKSA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IPAN65R650CEXKSA1
Description: MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction Super Junction
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 28W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur PG-TO220 Full Pack
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 10.1A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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