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FP35R12W2T4BOMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: FP35R12W2T4BOMA1
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 35A
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série -
IGBT Type Trench Field Stop
Statut de la partie Active
Puissance - Max 215W
Configuration Three Phase Inverter
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT Yes
Paquet / Cas Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Paquet d’appareils fournisseur Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 54A
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Courant - Seuil de collection (Max) 1mA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

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