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FP100R07N3E4B11BOSA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: FP100R07N3E4B11BOSA1
Description: IGBT MODULE VCES 600V 100A
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série -
IGBT Type Trench Field Stop
Statut de la partie Active
Puissance - Max 335W
Configuration Three Phase Inverter
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT Yes
Paquet / Cas Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Paquet d’appareils fournisseur Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 100A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce 6.2nF @ 25V
Courant - Seuil de collection (Max) 1mA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 650V

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