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DD1200S12H4HOSA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: DD1200S12H4HOSA1
Description: MOD DIODE 1200A IHMB130-2
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série -
IGBT Type -
Statut de la partie Active
Puissance - Max 1200000W
Configuration 2 Independent
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT No
Paquet / Cas Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Paquet d’appareils fournisseur Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1200A
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

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Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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