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BSC072N03LDGATMA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche: BSC072N03LDGATMA1
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série OptiMOS™
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Emballage Digi-Reel®
Fet, fonction Logic Level Gate
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max 57W
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerVDFN
Numéro de pièce de base BSC072N03
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V
Paquet d’appareils fournisseur PG-TDSON-8-4
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 11.5A

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