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BSB104N08NP3GXUSA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: BSB104N08NP3GXUSA1
Description: MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 13A (Ta), 50A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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