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BCR135WE6327BTSA1

Fabricants: Infineon Technologies
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Fiche: BCR135WE6327BTSA1
Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Infineon Technologies
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SC-70, SOT-323
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Numéro de pièce de base BCR135
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Fréquence - Transition 150MHz
Paquet d’appareils fournisseur PG-SOT323-3
Résistance - Base d’émetteur (R2) 47 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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