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IXTH1N200P3HV

Fabricants: IXYS
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: IXTH1N200P3HV
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant IXYS
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-247-3 Variant
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-247HV
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23.5nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 2000V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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