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GSID600A120S4B1

Fabricants: Global Power Technologies Group
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: GSID600A120S4B1
Description: SILICON IGBT MODULES
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Global Power Technologies Group
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série Amp+™
IGBT Type -
Statut de la partie Active
Puissance - Max 3060W
Configuration Half Bridge
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT Yes
Paquet / Cas Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Paquet d’appareils fournisseur Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 600A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1130A
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce 51nF @ 25V
Courant - Seuil de collection (Max) 1mA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

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