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GSID200A120S3B1

Fabricants: Global Power Technologies Group
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Modules
Fiche: GSID200A120S3B1
Description: SILICON IGBT MODULES
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Global Power Technologies Group
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Modules
Entrée Standard
Série Amp+™
IGBT Type -
Statut de la partie Active
Puissance - Max 1595W
Configuration 2 Independent
Type de montage Chassis Mount
Thermistor du CNT No
Paquet / Cas D-3 Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Paquet d’appareils fournisseur D3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 400A
Capacité d’entrée (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Courant - Seuil de collection (Max) 1mA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

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Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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