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GP2M002A065FG

Fabricants: Global Power Technologies Group
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: GP2M002A065FG
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Global Power Technologies Group
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6Ohm @ 900mA, 10V
Dissipation de puissance (Max) 17.3W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220F
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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