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GP1M010A080H

Fabricants:	Global Power Technologies Group
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	GP1M010A080H
Description:	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Global Power Technologies Group
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
FET Type	N-Channel
Emballage	Tube
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Obsolete
Type de montage	Through Hole
Paquet / Cas	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Dissipation de puissance (Max)	290W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur	TO-220
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	9.5A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	10V