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GP1M009A020FG

Fabricants:	Global Power Technologies Group
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	GP1M009A020FG
Description:	MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Global Power Technologies Group
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
FET Type	N-Channel
Emballage	Tube
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Obsolete
Type de montage	Through Hole
Paquet / Cas	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)	17.3W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur	TO-220F
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss)	200V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	414pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	10V