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MSRT200160(A)D

Fabricants: GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits: Diodes - Rectifiers - Arrays
Fiche: MSRT200160(A)D
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits Diodes - Rectifiers - Arrays
Vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série -
Emballage Bulk
Diode Type Standard
Statut de la partie Active
Type de montage Chassis Mount
Paquet / Cas Three Tower
Diode Configuration 1 Pair Series Connection
Paquet d’appareils fournisseur Three Tower
Courant - Fuite inversée @ Vr 10µA @ 1600V
Tension - Dc Reverse (Vr) (Max) 1600V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 200A
Courant - Correction moyenne (Io) (par diode) 200A

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