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GA10JT12-263

Fabricants:	GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	GA10JT12-263
Description:	TRANS SJT 1200V 25A
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
FET Type	-
Emballage	Tube
Vgs (Max)	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Active
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	-
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Dissipation de puissance (Max)	170W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur	-
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	-