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GA05JT12-263

Fabricants:	GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	GA05JT12-263
Description:	TRANS SJT 1200V 15A
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
FET Type	-
Emballage	Tube
Vgs (Max)	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Active
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Dissipation de puissance (Max)	106W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur	D2PAK (7-Lead)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	-