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EPC2111ENGRT

Fabricants:	EPC
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche:	EPC2111ENGRT
Description:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	EPC
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
FET Type	2 N-Channel (Half Bridge)
Emballage	Digi-Reel®
Fet, fonction	GaNFET (Gallium Nitride)
Statut de la partie	Active
Puissance - Max	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 5mA
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Paquet d’appareils fournisseur	Die
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	16A (Ta)