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EPC2103ENGRT

Fabricants: EPC
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fiche: EPC2103ENGRT
Description: GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant EPC
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série eGaN®
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Emballage Digi-Reel®
Fet, fonction GaNFET (Gallium Nitride)
Statut de la partie Active
Puissance - Max -
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 5V
Paquet d’appareils fournisseur Die
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 23A

En stock 5256 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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