Fabricants: | EPC |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Fiche: | EPC2103ENGRT |
Description: | GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | EPC |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | eGaN® |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Emballage | Digi-Reel® |
Fet, fonction | GaNFET (Gallium Nitride) |
Statut de la partie | Active |
Puissance - Max | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
Paquet d’appareils fournisseur | Die |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 80V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 40V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 23A |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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