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EPC2012

Fabricants:	EPC
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	EPC2012
Description:	GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	EPC
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	eGaN®
FET Type	N-Channel
Emballage	Cut Tape (CT)
Vgs (Max)	+6V, -5V
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Discontinued at Digi-Key
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Dissipation de puissance (Max)	-
Paquet d’appareils fournisseur	Die
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 5V
Drain à la tension de source (Vdss)	200V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	145pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	5V