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EPC2010C
| Fabricants: | EPC |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | EPC2010C |
| Description: | GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Fet, fonction | - |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 12A, 5V |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Paquet d’appareils fournisseur | Die Outline (7-Solder Bar) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 5V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
En stock 8237 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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