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DMN2005UFG-7

Fabricants: Diodes Incorporated
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: DMN2005UFG-7
Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Diodes Incorporated
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 1.05W (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur PowerDI3333-8
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 164nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6495pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 18.1A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 6000 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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