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DMN10H099SFG-13

Fabricants: Diodes Incorporated
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: DMN10H099SFG-13
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Diodes Incorporated
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 980mW (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur PowerDI3333-8
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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