Fabricants: | Diodes Incorporated |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | DMG3N60SJ3 |
Description: | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Diodes Incorporated |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | Automotive, AEC-Q101 |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Tube |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / Cas | TO-251-3, IPak, Short Leads |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 41W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | TO-251 |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 354pF @ 25V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.54 | $0.53 | $0.52 |