L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

DMG3415UFY4Q-7

Fabricants: Diodes Incorporated
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: DMG3415UFY4Q-7
Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Diodes Incorporated
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type P-Channel
Emballage Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 3-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max) 650mW (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur X2-DFN2015-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Drain à la tension de source (Vdss) 16V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 282pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 5917 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.39 $0.38 $0.37

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

BSS169H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
SI2377EDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
RRR015P03TL
ROHM Semiconductor
$0.15
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
CSD25483F4T
Texas Instruments
$0
RUR020N02TL
ROHM Semiconductor
$0.15