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DDTB113EC-7-F

Fabricants: Diodes Incorporated
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Fiche: DDTB113EC-7-F
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Diodes Incorporated
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Active
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Numéro de pièce de base DTB113
Résistance - Base (R1) 1 kOhms
Fréquence - Transition 200MHz
Paquet d’appareils fournisseur SOT-23-3
Résistance - Base d’émetteur (R2) 1 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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