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CYD18S36V18-200BBAXI

Fabricants: Cypress Semiconductor Corp
Catégorie de produits: Memory
Fiche: CYD18S36V18-200BBAXI
Description: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Cypress Semiconductor Corp
Catégorie de produits Memory
Série -
Emballage Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Heure d’accès 3.3ns
Taille de mémoire 18Mb (512K x 36)
Type de mémoire Volatile
Statut de la partie Obsolete
Format de mémoire SRAM
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 256-LBGA
Fréquence de l’horloge 200MHz
Numéro de pièce de base CYD18S36
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Paquet d’appareils fournisseur 256-FBGA (17x17)
Temps de cycle d’écriture - Mot, Page -

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